Товары доступны уже сейчас
Статус продукта Активен
Тип полевого транзистора N-канальный
Технология MOSFET (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 4,3 А (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds включено, Мин. Rds включено) 2,5 В, 10 В
Rds включен (макс.) при Id, Vgs 51 Мом при 3,2 А, 10 В
Vgs (th) (макс.) при Id 1,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 13 nC при 10 В
Vgs (Макс.) ± 12 В
Входная емкость (СНПЧ) (Макс.) при Vds 370 пФ при 20 В
Функция полевого транзистора -
Рассеиваемая мощность (Макс.) 960 МВт (Ta), 1,7 Вт (Tc)
Рабочая температура -55 ° C ~ 150 °C (TJ)
Тип монтажа поверхностное крепление
Комплект поставки устройства поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый Номер продукта SI2356
